[发明专利]薄膜结构的LED芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201711067896.5 | 申请日： | 2017-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN107910406A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 黄慧诗;张秀敏;华斌;郑宝玉 | 申请（专利权）人： | 江苏新广联半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/38;H01L33/62 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人： | 曹祖良,刘海 |
| 地址： | 214192 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜结构的LED芯片及其制造方法，其特征是包括硅基板，硅基板的下表面设置硅基板下电极，硅基板的上表面设置硅基板键合电极层，硅基板键合电极层的上表面设置芯片键合电极层，芯片键合电极层的上表面设置多个凹槽，在凹槽的底部和侧壁设置绝缘层，在凹槽中从下至上依次设置反射层、P‑GaN层MQW量子阱；在所述芯片键合电极层的上表面覆盖N‑GaN层，N‑GaN层覆盖芯片键合电极层的上表面和凹槽的上部，N‑GaN层与芯片键合电极层和MQW量子阱接触；在所述N‑GaN层上设置开口，开口的底部暴露出反射层，在反射层上设置芯片正电极焊盘层。本发明具有热阻低、电流分布均匀、驱动电流大、输出光密度高等特点，有效解决了传统LED芯片的不足。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 结构 led 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜结构的LED芯片，其特征是：包括硅基板（8），硅基板（8）的下表面设置硅基板下电极（9），硅基板（8）的上表面设置硅基板键合电极层（7），硅基板键合电极层（7）的上表面设置芯片键合电极层（6），芯片键合电极层（6）的上表面设置多个凹槽，在凹槽的底部和侧壁设置绝缘层（5），在凹槽中从下至上依次设置反射层（4）、P‑GaN层（3）和MQW量子阱（2）；在所述芯片键合电极层（6）的上表面覆盖N‑GaN层（1），N‑GaN层（1）覆盖芯片键合电极层（6）的上表面和凹槽的上部，N‑GaN层（1）与芯片键合电极层（6）和MQW量子阱（2）接触；在所述N‑GaN层（1）上设置开口，开口的底部暴露出反射层（4），在反射层（4）上设置芯片正电极焊盘层（10）。
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