[发明专利]超宽带低噪声放大器有效
| 申请号： | 201711068702.3 | 申请日： | 2017-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN107733375B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 李振荣;刘爽;庄奕琪;张超越 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F1/32;H03F3/193;H03F3/21;H03F3/24 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超宽带低噪声放大器，主要解决现有技术噪声和线性度性能较差的问题。其采用两级级联结构，且两级之间利用电容C3耦合。该第二级放大电路采用并联峰值结构的基本共源极电路；该第一级放大电路的输入‑输出之间连接由反馈MOS管M3和反馈耦合电容C2组成串联电路，用以提供宽带的匹配和提高线性度，反馈MOS管M3的源极连接有偏置MOS管M4，用以为反馈MOS管M3提供偏置电流；第一级放大电路输入端与第二级放大电路输出端之间连接有辅助跨导放大器G。本发明可部分或全部消除由第一级放大电路中部分元器件产生的噪声，提高了超宽带低噪声放大器整体的噪声性能，可用于超宽带的无线通信。 | ||
| 搜索关键词： | 宽带 低噪声放大器 | ||
【主权项】：
一种超宽带低噪声放大器，采用两级级联结构，第一级放大电路A1包含以电阻为负载的基本共源极电路，第二级放大电路A2采用并联峰值结构的基本共源极电路，包括第二放大管M2、第二偏置电阻R3、第二负载电阻R4及并联峰值电感L1，两级之间信号利用电容耦合，其特征在于：第一级放大电路A1，包括第一放大管M1、二极管连接的反馈MOS管M3、偏置MOS管M4、第一偏置电阻R1、第一负载电阻R2、第三偏置电阻R5及反馈耦合电容C2，反馈MOS管M3和反馈耦合电容C2组成串联电路，连接在第一放大管M1的栅极与漏极之间，用以提供宽带的匹配和提高线性度，反馈MOS管M3的源极与偏置MOS管M4的漏极连接，偏置MOS管M4的源极连接到地，用以为反馈MOS管M3提供偏置电流；第一放大管M1的栅极与第二放大管M2的漏极之间连接有辅助跨导放大器G，用于部分或全部消除由第一放大管M1、偏置MOS管M4及第一负载电阻R2的噪声，提高超宽带低噪声放大器整体的噪声性能。
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