[发明专利]高压金属氧化物半导体元件及其制造方法

摘要

一种高压金属氧化物半导体元件及其制造方法，该高压金属氧化物半导体元件元件包含：阱区、漂移区、栅极、源极、漏极以及多个埋柱。其中，栅极形成于上表面上，且部分栅极堆叠并连接部分阱区的正上方，且另一部分堆叠并连接部分漂移区的正上方。源极形成于上表面下方并接触于上表面，于横向上邻接于阱区。漏极形成于上表面下方并接触上表面，且于横向上邻接于漂移区，与源极由阱区以及漂移区隔开，且于横向上，漏极与源极位于栅极的不同侧。多个埋柱形成于上表面下方预设距离之下，并不接触于上表面，且漂移区包围每一埋柱的至少一部分，使多个埋柱与漂移区交错排列。

主权项

1.一种高压金属氧化物半导体元件，其特征在于，形成于一半导体基板，其中该半导体基板于一纵向上，具有相对的一上表面与一下表面，该高压金属氧化物半导体元件包含：一阱区，具有一第一导电型，于该纵向上，形成于该上表面下方并连接于该上表面；一漂移区，具有一第二导电型，于该纵向上，形成于该上表面下方并连接于该上表面，且该漂移区完全位于该阱区上，且于一横向上，该漂移区与该阱区连接；一栅极，于该纵向上，形成于该上表面上，且部分该栅极堆叠并连接部分该阱区的正上方，且该栅极另一部分堆叠并连接部分该漂移区的正上方；一源极，具有该第二导电型，于该纵向上，形成于该上表面下方并接触于该上表面，于该横向上邻接于该阱区，且该源极连接于该栅极的一第一侧下方；一漏极，具有该第二导电型，于该纵向上，形成于该上表面下方并接触于该上表面，且于该横向上邻接于该漂移区，与该源极由该阱区以及该漂移区隔开，且于该横向上，该漏极位于该栅极的一第二侧外，与该源极位于该栅极的不同侧；以及多个埋柱，具有该第一导电型，于该纵向上，形成于该上表面下方一预设距离之下，并不接触于该上表面，且该漂移区包围每一埋柱的至少一部分，使该多个埋柱与该漂移区交错排列。