[发明专利]用以形成半导体装置的方法以及半导体装置

摘要

用以形成半导体装置的方法包括在基板内形成沟槽开口，沉积第一介电层于基板内的第一沟槽开口的侧壁与底表面上方，以及沉积第一导电层于第一介电层上方。接着平坦化第一介电层与第一导电层，以暴露基板的平坦化顶表面以及第一沟槽开口中的第一导电层的平坦化顶表面。层间介电层沉积于基板的平坦化顶表面上方与第一导电层的平坦化表面上方。第一电性接触孔穿过层间介电层而形成，以提供电性连接至第一沟槽开口内的第一导电层。

主权项

1.一种用以形成半导体装置的方法，其特征在于，该方法包含：沉积一第一介电层于一基板内的一第一沟槽开口的一侧壁上方与一底表面上方；沉积一第一导电层于该第一介电层上方；平坦化该第一介电层与该第一导电层，以暴露该基板的一平坦化顶表面，与该第一沟槽开口中的该第一导电层的一平坦化顶表面；沉积一层间介电层于该基板的该平坦化顶表面上方与该第一导电层的该平坦化表面上方；以及形成一第一电性接触穿过该层间介电层，以电性连接至该第一沟槽开口内的该第一导电层。