[发明专利]一种MoS2

摘要

本发明涉及一种MoS2陶瓷靶材的制备方法，该制备方法包括以下步骤：首先，将MoS2原料粉烘干过筛，得到粒度分布均匀、无结块的MoS2粉末；然后，将MoS2粉末均匀地填充到模具中，在真空条件下进行热压烧结，然后冷却、脱模，得到烧结坯；最后，将烧结坯进行机加工，得到符合尺寸和表面质量要求的靶材。本发明提供的制备方法，工艺过程简单，成形效果较好，更具成本效益，利于工业化大规模生产，具有广阔的应用前景；制备的靶材纯度高，≥99.5％，晶粒细小均匀，平均晶粒尺寸≤5μm，致密度≥95％，且靶材为单一的MoS2相结构；靶材性能稳定，溅射效果更优，作为制备固体润滑涂层的源材料，提高了涂层的摩擦学性能。

主权项

1.一种MoS2陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：步骤一，将MoS2原料粉烘干过筛，得到粒度分布均匀、无结块的MoS2粉末；步骤二，将步骤一得到的所述MoS2粉末均匀地填充到模具中，在真空条件下进行热压烧结，然后冷却、脱模，得到烧结坯；步骤三，将步骤二得到的所述烧结坯进行机加工，得到符合尺寸和表面质量要求的所述MoS2陶瓷靶材。