[发明专利]一种提高晶圆界面悬挂键键合的方法在审
申请号: | 201711071283.9 | 申请日: | 2017-11-03 |
公开(公告)号: | CN107910255A | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
发明(设计)人: | 王喜龙 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/18 | 分类号: | H01L21/18 |
代理公司: | 上海申新律师事务所31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供了一种提高晶圆界面悬挂键键合的方法,应用于键合工艺的晶圆,其中,晶圆具有一键合界面,键合界面的硅原子具有悬挂键;提供一第一反应腔体,用以放置晶圆;包括以下步骤步骤S1、向第一反应腔体中通入氧气;步骤S2、对通入的反应气体进行解离以在键合界面形成一层氧离子层;步骤S3、于氧离子层上依次沉积一介电层以及一保护层以形成一复合结构;步骤S4、通过退火工艺对复合结构进行处理,使位于介电层与键合界面之间的氧原子与悬挂键键合。其技术方案的有效果在于,效的提高了晶圆界面上悬挂键的键合程度,减少因为悬挂键的键合程度对器件的性能造成不利影响。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 界面 悬挂 键键合 方法 | ||
【主权项】:
一种提高晶圆界面悬挂键键合的方法,应用于键合工艺的晶圆,其特征在于,所述晶圆具有一键合界面,所述键合界面的硅原子具有悬挂键;提供一第一反应腔体,用以放置所述晶圆;包括以下步骤:步骤S1、向所述第一反应腔体中通入氧气;步骤S2、对通入的所述氧气进行解离以在所述键合界面形成一层氧离子层;步骤S3、于所述氧离子层上依次沉积一介电层以及一保护层以形成一复合结构;步骤S4、通过退火工艺对所述复合结构进行处理,使位于所述介电层与所述键合界面之间的所述离子层中的氧原子与所述悬挂键键合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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