[发明专利]一种提高晶圆界面悬挂键键合的方法在审

专利信息
申请号: 201711071283.9 申请日: 2017-11-03
公开(公告)号: CN107910255A 公开(公告)日: 2018-04-13
发明(设计)人: 王喜龙 申请(专利权)人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号: H01L21/18 分类号: H01L21/18
代理公司: 上海申新律师事务所31272 代理人: 俞涤炯
地址: 430205 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种提高晶圆界面悬挂键键合的方法,应用于键合工艺的晶圆,其中,晶圆具有一键合界面,键合界面的硅原子具有悬挂键;提供一第一反应腔体,用以放置晶圆;包括以下步骤步骤S1、向第一反应腔体中通入氧气;步骤S2、对通入的反应气体进行解离以在键合界面形成一层氧离子层;步骤S3、于氧离子层上依次沉积一介电层以及一保护层以形成一复合结构;步骤S4、通过退火工艺对复合结构进行处理,使位于介电层与键合界面之间的氧原子与悬挂键键合。其技术方案的有效果在于,效的提高了晶圆界面上悬挂键的键合程度,减少因为悬挂键的键合程度对器件的性能造成不利影响。
搜索关键词: 一种 提高 界面 悬挂 键键合 方法
【主权项】:
一种提高晶圆界面悬挂键键合的方法,应用于键合工艺的晶圆,其特征在于,所述晶圆具有一键合界面,所述键合界面的硅原子具有悬挂键;提供一第一反应腔体,用以放置所述晶圆;包括以下步骤:步骤S1、向所述第一反应腔体中通入氧气;步骤S2、对通入的所述氧气进行解离以在所述键合界面形成一层氧离子层;步骤S3、于所述氧离子层上依次沉积一介电层以及一保护层以形成一复合结构;步骤S4、通过退火工艺对所述复合结构进行处理,使位于所述介电层与所述键合界面之间的所述离子层中的氧原子与所述悬挂键键合。
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