[发明专利]一种导光隔离结构的制备方法及像素晶圆

摘要

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种导光隔离结构的制备方法及像素晶圆，包括步骤S1，提供一衬底，并采用一第一刻蚀工艺对衬底的上表面进行刻蚀；步骤S2，采用一氧化工艺对刻蚀后的衬底的表面进行氧化，以于衬底的表面形成一氧化层；步骤S3，采用一第二刻蚀工艺于衬底的上表面形成多个沟槽并去除氧化层；步骤S4，于沟槽中填充隔离材料形成多个深槽隔离结构；步骤S5，于深槽隔离结构以及衬底的上表面沉积一保护层；其中，第二刻蚀工艺为光刻工艺；以及一种像素晶圆；制备工艺简单，导光效果好，可靠性高。

主权项

一种导光隔离结构的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供一衬底，并采用一第一刻蚀工艺对所述衬底的上表面进行刻蚀；步骤S2，采用一氧化工艺对刻蚀后的所述衬底的表面进行氧化，以于所述衬底的表面形成一氧化层；步骤S3，采用一第二刻蚀工艺于所述衬底的上表面形成多个沟槽并去除所述氧化层；步骤S4，于所述沟槽中填充隔离材料形成多个深槽隔离结构；步骤S5，于所述深槽隔离结构以及所述衬底的上表面沉积一保护层；其中，所述第二刻蚀工艺为光刻工艺。