[发明专利]一种减少半导体结构中铝衬垫缺陷的方法

摘要

本分发明提供了一种减少半导体结构中铝衬垫缺陷的方法，其中，半导体结构包括一铝衬垫，铝衬垫的表面包括多个缺陷生成物；提供一等离子体刻蚀设备设备，等离子体刻蚀设备包括一反应腔体，半导体结构放置于反应腔体内；包括以下步骤：于反应腔体内形成等离子体，通过等离子体轰击铝衬垫的表面，以去除铝衬垫表面的缺陷生成物；于反应腔体内通入清洗气体，通过清洗气体对残留在铝衬垫表面的缺陷生成物进行清洗去除。其技术方案的有益效果在于，通过在反应腔体内对铝衬垫生成的缺陷生成物进行有效去除，进而可以避免器件在进行后续PID(系统电压耐受测试)以及bonding test(焊点推拉力测试)时会导致测试不合格要求返厂，增加报废率导致成本上升的问题。

主权项

一种减少半导体结构中铝衬垫缺陷的方法，其特征在于，提供一半导体结构，所述半导体结构包括一铝衬垫，所述铝衬垫的表面包括多个缺陷生成物；提供一等离子体刻蚀设备设备，所述等离子体刻蚀设备包括一反应腔体，所述半导体结构放置于所述反应腔体内；包括以下步骤：步骤S1、于所述反应腔体内形成等离子体，通过所述等离子体轰击所述铝衬垫的表面，以去除所述铝衬垫表面的所述缺陷生成物；步骤S2、于所述反应腔体内通入清洗气体，通过所述清洗气体对残留在所述铝衬垫表面的所述缺陷生成物进行清洗去除。