[发明专利]一种电平转换电路以及芯片系统有效
| 申请号： | 201711074626.7 | 申请日： | 2017-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN109756222B | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 索超 | 申请（专利权）人： | 展讯通信（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种电平转换电路，包括：四个N型金属氧化物半导体NMOS管，两个P型金属氧化物半导体PMOS管以及至少两个反相器，第一NMOS管与第二NMOS管的源极都与电源负极或地线连接，第一NMOS管漏极与第三NMOS管栅极连接，第一NMOS管栅极与第三NMOS管源极连接；第二NMOS管栅极与第四NMOS管源极连接，第二NMOS管漏极与第四NMOS管栅极连接；第一PMOS管与第二PMOS管的源极都与第一电源，即输出目标高电平的电源连接，第一PMOS管栅极与第四NMOS管栅极连接，第一PMOS管漏极与第三NMOS管漏极连接；第二PMOS管的栅极与第三NMOS管的栅极连接，第二PMOS管漏极与第四NMOS管的漏极连接；第一反相器输入端与第二NMOS管漏极连接，第一反相器输出目标输出信号，该目标输出信号的高电平为目标高电平。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电平 转换 电路 以及 芯片 系统 | ||
【主权项】：
1.一种电平转换电路，其特征在于，包括：第一N型金属氧化物半导体NMOS管，第二NMOS管，第三NMOS管，第四NMOS管，第一P型金属氧化物半导体PMOS管，第二PMOS管，第一反相器，以及第二反相器，其中：所述第一NMOS管与所述第二NMOS管的源极都与电源负极或地线连接，所述第一NMOS管的漏极与所述第三NMOS管的栅极连接，所述第一NMOS管的栅极与所述第三NMOS管的源极或漏极中的任意一个连接；所述第二NMOS管的栅极与所述第四NMOS管的源极或漏极中的任意一个连接，所述第二NMOS管的漏极与所述第四NMOS管的栅极连接；所述第一PMOS管与第二PMOS管的源极与第一电源连接，所述第一电源的输出为目标高电平，所述第一PMOS管的栅极与所述第四NMOS管的栅极连接，若所述第一NMOS管的栅极与所述第三NMOS管的源极连接，则所述第一PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极连接，若所述第一NMOS管的栅极与所述第三NMOS管的漏极连接，则所述第一PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的源极连接；所述第二PMOS管的栅极与所述第三NMOS管的栅极连接，若所述第二NMOS管的栅极与所述第四NMOS管的源极连接，则所述第二PMOS管的漏极与所述第四NMOS管的栅极连接，若所述第二NMOS管的栅极与所述第四NMOS管的漏极连接，则所述第二PMOS管的漏极与所述第四NMOS管的栅极连接；所述第一反相器的输入端与所述第二NMOS管的漏极连接，所述第一反相器的输出为目标输出信号，所述第一反相器与所述第一电源连接，所述第一反相器还与电源负极或地线连接；所述第二反相器的输入端输入待转换的输入信号，所述待转换的输入信号的高电平为待转换高电平，所述第二反相器的输出端与所述第一NMOS管的栅极连接，所述第二反相器与第二电源连接，所述第二反相器还与电源负极或地线连接，所述第二电源的输出为所述待转换电平。
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