[发明专利]屏蔽栅沟槽型MOSFET的制造方法

摘要

本发明公开了一种屏蔽栅沟槽型MOSFET的制造方法，包括如下步骤步骤一、提供表面形成有硅外延层的硅衬底并进行光刻刻蚀形成沟槽；步骤二、形成底部氧化层；步骤三、形成第一层多晶硅将沟槽完全填充；步骤四、进行热退火，利用热退火使第一层多晶硅再结晶并消除第一层多晶硅的缝隙；步骤五、对第一层多晶硅进行回刻并形成由保留于沟槽底部的第一层多晶硅组成多晶硅屏蔽栅。本发明能提高多晶硅屏蔽栅的表面形貌，进而提高多晶硅屏蔽栅的表面深度的均匀性，提高多晶硅屏蔽栅的屏蔽效果。

主权项

一种屏蔽栅沟槽型MOSFET的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供表面形成有硅外延层的硅衬底，采用光刻刻蚀工艺在所述硅外延层的栅极区域中形成沟槽；步骤二、在所述沟槽底部表面和侧壁表面形成底部氧化层，所述底部氧化层也延伸到所述沟槽外部的所述硅外延层表面；步骤三、在所述底部氧化层表面形成第一层多晶硅，所述第一层多晶硅将所述沟槽完全填充并会在所述沟槽的中央区域产生缝隙；步骤四、对所述第一层多晶硅进行热退火，利用所述热退火使所述第一层多晶硅再结晶并用于消除所述第一层多晶硅的缝隙；步骤五、对所述第一层多晶硅进行回刻，该回刻将所述沟槽外部的所述第一层多晶硅完全去除，将所述沟槽中顶部的所述第一层多晶硅去除，由保留于所述沟槽底部的所述第一层多晶硅组成多晶硅屏蔽栅。