[发明专利]共晶芯片组件的烧结方法有效
| 申请号： | 201711076799.2 | 申请日： | 2017-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN107731695B | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 汪宁;费文军;陈兴盛;李金晶;孟庆贤;聂庆燕;汪伦源;张丽 | 申请（专利权）人： | 安徽华东光电技术研究所有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;H01L21/324 |
| 代理公司： | 11283 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人： | 邹飞艳;张苗 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种共晶芯片组件的烧结方法，所述烧结方法包括：初步安装：在工件的腔体内涂覆助焊剂，之后将多个焊料片放置在腔体内，在每个焊料片表面涂覆助焊剂，将共晶芯片组件分别压紧在每个焊料片表面，形成预装组件；烧结处理：将预装组件依次进行第一烧结处理和第二烧结处理；解决了现有的共晶芯片组件的烧结方法时间长，合金焊料易氧化，最终影响共晶芯片组件烧结在腔体上的焊透率、剪切强度以及散热效果的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 组件 烧结 方法 | ||
【主权项】：
1.一种共晶芯片组件的烧结方法，其特征在于，所述烧结方法包括：/n(1)初步安装：在工件的腔体内涂覆助焊剂，之后将多个焊料片放置在腔体内，在每个焊料片表面涂覆助焊剂，将共晶芯片组件分别压紧在每个焊料片表面，形成预装组件；/n(2)烧结处理：将预装组件依次进行第一烧结处理和第二烧结处理；其中，第一烧结处理的条件包括：烧结的温度为155-165℃，烧结的时间为325-333s，烧结的环境压力为4.5-5.5Pisg；第二烧结处理的条件包括：烧结的温度为215-225℃，烧结的时间为145-155s，烧结的环境压力为9.5-10.5Pisg；在步骤(2)中，烧结处理在真空共晶炉中进行，且烧结处理的方法还包括：对真空共晶炉进行抽真空，之后通入保护气体，排出保护气体后进行第一烧结处理。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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