[发明专利]低噪声平面磁传感器在审
申请号: | 201711078432.4 | 申请日: | 2017-11-06 |
公开(公告)号: | CN107907145A | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
发明(设计)人: | 文玉梅;李平;卞雷祥 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | G01D5/20 | 分类号: | G01D5/20 |
代理公司: | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司31227 | 代理人: | 李庆 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种低噪声平面磁传感器,包括一衬底、一平面线圈和至少一减噪结构;所述减噪结构和所述平面线圈固定于所述衬底,且所述减噪结构与所述平面线圈部分贴合固定;所述减噪结构包括至少一第一导磁材料层和至少一第一绝缘层,所述第一导磁材料层形成涡流抑制结构,所述第一导磁材料层、所述第一绝缘层和所述平面线圈依次层叠布设。本发明的一种低噪声平面磁传感器,其具有体积小、噪声小、灵敏度高、分辨率高和稳定性好的优点。 | ||
搜索关键词: | 噪声 平面 传感器 | ||
【主权项】:
一种低噪声平面磁传感器,其特征在于,包括一衬底、一平面线圈和至少一减噪结构;所述减噪结构和所述平面线圈固定于所述衬底,且所述减噪结构与所述平面线圈部分贴合固定;所述减噪结构包括至少一第一导磁材料层和至少一第一绝缘层,所述第一导磁材料层形成涡流抑制结构,所述第一导磁材料层、所述第一绝缘层和所述平面线圈依次层叠布设。
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