[发明专利]具有组合阱的多量子阱LED外延结构及其外延制备方法在审
| 申请号： | 201711080999.5 | 申请日： | 2017-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN109755360A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 张义;王建立;马旺;王成新;肖成峰;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种具有组合阱的多量子阱LED外延结构及其外延制备方法，包括：自上而下依次设置的衬底层、GaN缓冲层、非掺杂GaN层、n型AlGaN层、n型GaN层、量子阱层、P型AlGaN层、P型GaN层和P型InGaN欧姆接触层，量子阱层由GaN势垒层和组合阱层构成周期性叠加构成，组合阱结构由低In浓度InGaN阱层、高In浓度InGaN阱层以及低In浓度InGaN阱层构成。能够显著阻挡和扩散N型电子的注入，增强量子阱束缚电子的能力，提高空穴和电子注入在有源区效率和辐射复合效率，调整极化电荷消除内建的极化电场，有效降低阱垒界面间的应力，缓解能带的弯曲，从本质上提高晶体质量和内量子效率，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 多量子阱 量子阱层 制备 空穴 辐射复合效率 非掺杂GaN层 内量子效率 欧姆接触层 电子注入 极化电场 极化电荷 器件性能 依次设置 衬底层 量子阱 势垒层 阱结构 内建 源区 阱层 叠加 阻挡 扩散 束缚 缓解 | ||
【主权项】：
1.一种具有组合阱的多量子阱LED外延结构，其特征在于，包括：自上而下依次设置的衬底层（1）、GaN缓冲层（2）、非掺杂GaN层（3）、n型AlGaN层（4）、n型GaN层（5）、量子阱层（6）、P型AlGaN层（7）、P型GaN层（8）和P型InGaN欧姆接触层（9），所述量子阱层（6）由GaN势垒层（10）和组合阱层构成周期性叠加构成，所述组合阱结构由低In浓度InGaN阱层（11）、高In浓度InGaN阱层（12）以及低In浓度InGaN阱层（13）构成，所述低In浓度InGaN阱层（11）及低In浓度InGaN阱层（13）的In掺杂浓度为2E19‑4E19atom/![]()
，所述高In浓度InGaN阱层（12）的In掺杂浓度为2E20‑4E20 atom/![]()
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