[发明专利]一种晶体硅太阳能电池发射极磷掺杂控制方法有效
| 申请号： | 201711086162.1 | 申请日： | 2017-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN107871660B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 周凡;崔龙辉;焦朋府;韩超;杨进;张文原;刘文超;任欢欢 | 申请（专利权）人： | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 14101 太原市科瑞达专利代理有限公司 | 代理人： | 李富元<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 046000 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及太阳能电池生产领域。一种晶体硅太阳能电池发射极磷掺杂控制方法，按照如下步骤进行，步骤一、第一次低温氧化；步骤二、第一次沉积；步骤三、第二次低温氧化；步骤四、第二次沉积和第一次推进；步骤五、第三次沉积和第二次推进。本发明通过低温氧化‑沉积‑低温氧化提高了峰值浓度，同时又不会造成晶格错位，然后再通过两次沉积和推进钝化电池表面，获得更佳的光电转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳能电池 发射极 掺杂 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体硅太阳能电池发射极磷掺杂控制方法，其特征在于：按照如下步骤进行/n步骤一、第一次低温氧化，保持温度770℃，氮气流量为7.5slm，氧气流量为1200sccm，氧化5min；/n步骤二、第一次沉积，控制N2流量为7.5slm，停止氧气流量，以6℃/min的升温速率升温至800℃，保持温度不变，调整氮气流量为7slm，三氯氧磷流量1450sccm，氧气流量800slm，沉积7min；/n步骤三、第二次低温氧化，控制氮气流量为7slm，停止三氯氧磷和氧气流量，以8℃/min的降温速率降温至770℃；保持氮气流量7.5slm，氧气流量为1200sccm，氧化5min；/n步骤四、第二次沉积和第一次推进，控制氮气流量为7slm，以8℃/min的升温速率升温至800℃，调整氮气流量为7slm，三氯氧磷流量1450sccm，氧气流量800slm，沉积5min，保持氮气流量不变，停止三氯氧磷和氧气流量，以8℃/min的升温速率升温至840℃，保持温度不变，调整氧气流量为2700sccm，推进10min；/n步骤五、第三次沉积和第二次推进，保持氮气流量为20slm，以8℃/min的降温速率快速降温至830℃，调整氮气流量为7slm，三氯氧磷流量1200sccm，氧气流量1200slm，沉积10min；保持氮气流量为20slm，停止三氯氧磷和氧气流量，以8℃/min的降温速率降温至810℃，保持温度不变，调整氧气流量为2500sccm，氮气流量为7slm，推进8min。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
