[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，在第一金属硬掩膜层上方形成具有第一开口的第二金属硬掩膜层，所述第二金属硬掩膜层的主要成分为金属氧化物，能够改善光刻胶层的第一开口图案直接向第一金属硬掩膜层转移时的形貌偏差、开口坍塌以及开口中有大量聚合物残留等问题，且以具有第一开口的第二金属硬掩膜层为掩膜来刻蚀下方相应叠层形成目标开口时，第二金属硬掩膜层既能够改善形成的目标开口的侧壁形貌，又易于去除以减小目标开口中的刻蚀残留物的产生；进一步利用自组装工艺在第二金属硬掩膜层上方的图案化光刻层中形成二嵌段共聚物层，利用嵌段共聚物层中互不相溶的第一嵌段和第二嵌段来缩小光掩模图案的线宽。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成第一金属硬掩膜层；在所述第一金属硬掩膜层的上方覆盖第二金属硬掩膜层，所述第二金属硬掩膜层的材质不同于所述第一金属硬掩膜层，且所述第二金属硬掩膜层的主要成分包括至少一种金属氧化物；刻蚀所述第二金属硬掩膜层至一定深度，以形成第一开口；以所述第二金属硬掩膜层为掩膜，在所述第一开口中继续刻蚀第一开口底部，直至开口深度达到要求深度，以形成目标开口。