[发明专利]沸石晶体网的制造方法在审

专利信息
申请号: 201711086513.9 申请日: 2017-11-07
公开(公告)号: CN107855100A 公开(公告)日: 2018-03-30
发明(设计)人: 唐书辉 申请(专利权)人: 贵州鑫湄纳米科技有限公司
主分类号: B01J20/16 分类号: B01J20/16;B01J20/28;B01J20/30;B01D53/02
代理公司: 成都市鼎宏恒业知识产权代理事务所(特殊普通合伙)51248 代理人: 罗韬
地址: 563000 贵州省遵义市湄*** 国省代码: 贵州;52
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摘要: 发明公开了一种沸石晶体网的制造方法,其包括使用平均孔径0.5mm、体积分数18%、残余硅含量为9%的泡沫炭化硅为载体;以多晶硅颗粒作为原料;将氢氧化钠、四丙基溴化铵合成溶液,上述合成溶液与泡沫炭化硅载体、多晶硅颗粒同时投入反应罐,使溶液覆盖泡沫炭化硅载体与多晶硅颗粒;将上述反应罐加热至200度,得到沸石晶体;上述沸石晶体制成纳米线,上述纳米线能够在至少一个纬度上拉伸至200%,上述纳米线厚度约20nm~600nm,解决精密元件利用活性炭去除污染气体效率较低的问题。
搜索关键词: 晶体 制造 方法
【主权项】:
一种沸石晶体网的制造方法,其包括:使用平均孔径0.5mm、体积分数18%、残余硅含量为9%的泡沫炭化硅为载体;以多晶硅颗粒作为原料;将氢氧化钠、四丙基溴化铵合成溶液,所述合成溶液与泡沫炭化硅载体、多晶硅颗粒同时投入反应罐,使溶液覆盖泡沫炭化硅载体与多晶硅颗粒;将所述反应罐加热170~200度,得到沸石晶体;所述沸石晶体制成纳米线,所述纳米线能够在至少一个纬度上拉伸至200%,所述纳米线厚度约20nm~600nm。
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