[发明专利]沸石晶体网的制造方法在审
申请号: | 201711086513.9 | 申请日: | 2017-11-07 |
公开(公告)号: | CN107855100A | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | 唐书辉 | 申请(专利权)人: | 贵州鑫湄纳米科技有限公司 |
主分类号: | B01J20/16 | 分类号: | B01J20/16;B01J20/28;B01J20/30;B01D53/02 |
代理公司: | 成都市鼎宏恒业知识产权代理事务所(特殊普通合伙)51248 | 代理人: | 罗韬 |
地址: | 563000 贵州省遵义市湄*** | 国省代码: | 贵州;52 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种沸石晶体网的制造方法,其包括使用平均孔径0.5mm、体积分数18%、残余硅含量为9%的泡沫炭化硅为载体;以多晶硅颗粒作为原料;将氢氧化钠、四丙基溴化铵合成溶液,上述合成溶液与泡沫炭化硅载体、多晶硅颗粒同时投入反应罐,使溶液覆盖泡沫炭化硅载体与多晶硅颗粒;将上述反应罐加热至200度,得到沸石晶体;上述沸石晶体制成纳米线,上述纳米线能够在至少一个纬度上拉伸至200%,上述纳米线厚度约20nm~600nm,解决精密元件利用活性炭去除污染气体效率较低的问题。 | ||
搜索关键词: | 晶体 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种沸石晶体网的制造方法,其包括:使用平均孔径0.5mm、体积分数18%、残余硅含量为9%的泡沫炭化硅为载体;以多晶硅颗粒作为原料;将氢氧化钠、四丙基溴化铵合成溶液,所述合成溶液与泡沫炭化硅载体、多晶硅颗粒同时投入反应罐,使溶液覆盖泡沫炭化硅载体与多晶硅颗粒;将所述反应罐加热170~200度,得到沸石晶体;所述沸石晶体制成纳米线,所述纳米线能够在至少一个纬度上拉伸至200%,所述纳米线厚度约20nm~600nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于贵州鑫湄纳米科技有限公司,未经贵州鑫湄纳米科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711086513.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。