[发明专利]使用强化栅极盖体及间隔物部分的自对准接触部保护

摘要

本发明涉及使用强化栅极盖体及间隔物部分的自对准接触部保护，其中，一方法包括：提供起始结构，起始结构包含半导体衬底、源极与漏极、位在源极与漏极上方的硬罩衬垫层、位在硬罩衬垫层上方的底端介电层、介于源极与漏极间的金属栅极，其中金属栅极通过间隔物所界定、介于对应间隔物间并且位在金属栅极上面的栅极盖体开口、以及位在底端介电层上面并且位在栅极盖体开口中的顶端介电层，从而产生栅极盖体。该方法更包括移除顶端介电层的部分，该移除导致接触开口及位于间隔物及/或栅极盖体的顶端部分处的凹坑，以及以蚀刻终止材料来填充凹坑，蚀刻终止材料具有比间隔物与栅极盖体的材料更佳的蚀刻终止能力。亦揭示所产生的半导体结构。

主权项

1.一种方法，包含：提供起始结构，该起始结构包含半导体衬底、多个源极与漏极、位在该多个源极与漏极上方的硬罩衬垫层、位在该硬罩衬垫层上方的底端介电层、介于该多个源极与漏极之间的多个金属栅极，其中该多个金属栅极通过间隔物所界定、介于对应间隔物之间并且位在该多个金属栅极上面的栅极盖体开口、以及位在该底端介电层上面并且位在该栅极盖体开口中的顶端介电层，从而产生栅极盖体；移除该顶端介电层的部分，该移除导致接触开口及位于该间隔物与栅极盖体其中之一或多者的顶端部分处的至少一个凹坑；以及以蚀刻终止材料来填充该至少一个凹坑，该蚀刻终止材料具有比该间隔物与栅极盖体的材料更佳的蚀刻终止能力。