[发明专利]一种基于反馈和电流复用可拓展高频带宽的低噪放电路

摘要

本发明公开了一种基于反馈和电流复用可拓展高频带宽的低噪放电路，包括NMOS管的偏置电压电路、PMOS管共模反馈偏置电路、四个MOS管分别为MOS管Mn1、MOS管Mn2、MOS管Mp1、MOS管Mp2、四个电阻分别为电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电感L1、三个电容分别为电容C1、电容C2、电容C3；本发明提出一种基于反馈和电流复用可拓展高频带宽的低噪放电路，运用反馈和电流复用的思想对电路进行优化设计，达到拓展高频带宽和节省功耗的目的。

主权项

一种基于反馈和电流复用可拓展高频带宽的低噪放电路，其特征在于，包括NMOS管的偏置电压电路、PMOS管共模反馈偏置电路、四个MOS管分别为MOS管Mn1、MOS管Mn2、MOS管Mp1、MOS管Mp2、四个电阻分别为电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电感L1、三个电容分别为电容C1、电容C2、电容C3；所述电容C3的一端作为单端输入vin，并与反向器的输入端、MOS管Mn2的S极、电感L1的一端连接，所述电感L1的另一端接地，所述MOS管Mn2的D极与电阻R2的一端、MOS管Mp2的D极连接处作为单端输出vout，MOS管Mn2的G极与MOS管Mn1的G极、电容C1的一端、电阻R1的一端电性连接，电阻R1的另一端作为Vbias与NMOS管的偏置电压电路连接；所述MOS管Mn1的S极接地，MOS管Mn1的D极与电容C3的另一端、电阻R2的另一端、电阻R3的一端、MOS管Mp1的D极连接；所述MOS管Mp1的G极与电阻R4的一端、电容C2的一端、MOS管Mp2的G极连接，MOS管Mp1的S极与电阻R3的另一端、MOS管Mp2的S极连接；所述电阻R4的另一端作为Vcmfb与PMOS管共模反馈偏置电路连接；所述电容C2的另一端、电容C1的另一端与反向器的输出端连接；所述MOS管Mp1的S极、MOS管Mp2的S极与电源连接。