[发明专利]减压处理装置在审
申请号: | 201711088584.2 | 申请日: | 2017-11-08 |
公开(公告)号: | CN108091593A | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 饭田英一 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;乔婉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种减压处理装置,防止在对腔室内进行减压时产生结露,并且缩短减压时间。在减压状态下对晶片(W)进行处理的减压处理装置(1)构成为具有:腔室(10),其具有对室内进行减压的减压单元(50);开闭门(17),其将供晶片相对于减压室搬入和搬出的搬入搬出口(12)打开或关闭;以及惰性气体提供源(37),其向腔室内提供惰性气体,在开闭门被打开的状态下持续提供惰性气体而将腔室内维持为干燥状态。 | ||
搜索关键词: | 减压处理装置 惰性气体 减压 室内 开闭门 搬入 晶片 持续提供 干燥状态 减压单元 减压状态 搬出口 减压室 搬出 结露 腔室 | ||
【主权项】:
1.一种减压处理装置,其在减压状态下对晶片进行处理,其中,该减压处理装置具有:保持工作台,其对晶片进行保持;减压室,其配设有该保持工作台;开闭门,其将供晶片相对于该减压室搬入和搬出的搬入搬出口打开或关闭;以及惰性气体提供单元,其向该减压室提供惰性气体,通过该惰性气体提供单元向该减压室内提供惰性气体,使该减压室与外部空气相比成为正压,打开该开闭门,并通过该惰性气体提供单元向该减压室内持续提供惰性气体直到该开闭门关闭,从而将该减压室内维持为干燥状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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