[发明专利]一种芯片可靠性设计的方法及装置在审
| 申请号： | 201711089861.1 | 申请日： | 2017-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN107808058A | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 付振;陈燕宁;袁远东;张海峰;李书振;李建强;刘芳;马强;裴万里;张虹 | 申请（专利权）人： | 北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;国家电网公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司11279 | 代理人： | 李晓康,王芳 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种芯片可靠性设计的方法及装置，其中，该方法包括获取待测器件的电学参数随时间的变化规律，待测器件为待测芯片中的器件；根据变化规律确定相对应的待测器件负荷的边界条件；建立待测器件的状态侦测模型，实时探测待测器件的工作参数；将工作参数与边界条件进行对比，在工作参数超出边界条件相对应的范围时，生成报警信号。该方法可以在芯片设计阶段介入可靠性设计，通过侦测出可靠性薄弱环节，进而改进电路，提高芯片的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 可靠性 设计 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种芯片可靠性设计的方法，其特征在于，包括：获取待测器件的电学参数随时间的变化规律，所述待测器件为待测芯片中的器件；根据所述变化规律确定相对应的待测器件负荷的边界条件；建立待测器件的状态侦测模型，实时探测所述待测器件的工作参数；将所述工作参数与所述边界条件进行对比，在所述工作参数超出所述边界条件相对应的范围时，生成报警信号。
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