[发明专利]超结器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201711090248.1 | 申请日： | 2017-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN109755315B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 肖胜安 | 申请（专利权）人： | 深圳尚阳通科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种超结器件，包括：N型外延层，所述N型外延层进行干法刻蚀形成多个沟槽；各沟槽为顶部宽底部窄的侧面倾斜结构，在沟槽的底部形成有第一P型离子注入区，在沟槽中填充有第一P型外延层，由第一P型离子注入区和第一P型外延层叠加形成P型柱，由各P型柱之间的N型外延层组成N型柱，由多个交替排列的N型柱和P型柱组成的超结结构。本发明还公开了一种超结器件的制造方法。本发明第一P型离子注入区能增加P型柱的底部区域的P型杂质总量，从而能补偿侧面倾斜的沟槽带来的P和N型柱之间的电荷失配，能改善具有倾斜沟槽的超结结构的P型柱和N型柱之间的电荷平衡，提高器件的纵向耐压能力，提高器件的源漏击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超结器件，超结器件的中间区域为电流流动区，终端区环绕于所述电流流动区的外周，过渡区位于所述电流流动区和所述终端区之间；其特征在于，包括：N型外延层，在所述N型外延层形成有多个沟槽；各所述沟槽为顶部宽底部窄的侧面倾斜结构，在所述沟槽的底部形成有第一P型离子注入区，在所述沟槽中填充有第一P型外延层，由所述第一P型离子注入区和所述第一P型外延层叠加形成P型柱，由各所述P型柱之间的所述N型外延层组成N型柱，由多个交替排列的所述N型柱和所述P型柱组成的超结结构；所述第一P型离子注入区用于增加所述P型柱的底部区域的P型杂质总量，补偿侧面倾斜的所述沟槽带来的所述P型柱和所述N型柱之间的电荷失配从而提高所述P型柱和所述N型柱之间的电荷平衡，提高所述超结结构的纵向耐压能力。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳尚阳通科技有限公司，未经深圳尚阳通科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711090248.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：超结器件及其制造方法
- 下一篇：超结器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
