[发明专利]LED制造方法及LED、显示屏和电子设备

摘要

本申请提供了一种LED制造方法及LED、显示屏和电子设备，其中，LED制造方法包括：在350～500度下生长GaN层，气压五到七百mBar，V/III为两千到五千，生长速率为3～15nm/分，在450～500度下生长N型GaN层，气压两百到四百mBar，V/III为六千到一万，生长速率0.5～8um/h；在四百到五百度下生长多量子阱层，气压200～400mBar，V/III为一万二到三万，生长速率0.5～3um/h；在四百到五百度条件下生长AlGaN层，气压为50～300mBar，V/III为两千到五千，生长速率0.5～2um/h；在四百到五百度下生长P型GaN层，气压两百到四百mBar，V/III为六千到一万，生长速率为0.5～8um/h。

主权项

一种用于制造氮化镓基二极管(LED)显示屏的方法，其特征在于，所述氮化镓基二极管LED显示屏包括多种颜色的LED，每种颜色的LED从下到上包括：氮化镓(GaN)层、N型掺杂GaN层、多量子阱层、AlGaN层以及P型掺杂GaN层，其中，所述制造所述LED显示屏的方法包括：在异质介质上制造缓冲层，其中，所述异质介绍是指材料跟所述LED材料不一致的介质；在所述缓冲层上依次生长所述多种颜色的LED，其中，生长每种颜色的LED包括：在350～500摄氏度温度条件下生长所述GaN层，其中，生长过程中的气压为500～700mBar，V/III为2000～5000，生长速率为3～15nm/min(纳米/分钟)，其中，所述V/III是指5族元素N与3族元素Ga的摩尔比，所述生长速率是指一定时间内生成物质的厚度的增加量；在450～500摄氏度温度条件下在所述GaN层上生长所述N型掺杂GaN层，其中，生长过程中的气压在200～400mBar，V/III在6000～10000，生长速率在0.5～8um/h(微米/小时)；在400～500摄氏度温度条件下在所述N型掺杂GaN层上生长所述多量子阱层，其中，生长过程中的气压为200～400mBar，V/III为12000～30000，生长速率为0.5～3um/h；在400～500度条件下在所述多量子阱层上生长所述AlGaN层，其中，生长过程中的气压为50～300mBar，V/III为2000～5000，生长速率为0.5～2um/h；在400～500度条件下在所述AlGaN层上生长所述P型掺杂GaN层，其中，生长过程中的气压为200～400mBar，V/III为6000～10000，生长速率为0.5～8um/h。