[发明专利]半导体晶圆处理装置及半导体晶圆处理方法有效
| 申请号： | 201711091289.2 | 申请日： | 2017-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN109755152B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体晶圆处理装置及半导体晶圆处理方法。半导体晶圆处理装置包括承载台、液体供应系统和探测传感器；承载台用于承载晶圆；液体供应系统包括液体源及液体供应管路，用于向晶圆的表面喷涂处理液；探测传感器包括发射模块和接收模块，位于承载台的上方，用于探测晶圆表面处理液的分布情况。利用本申请的半导体晶圆处理装置能够及时发现处理液分布不良的情况，避免因处理液分布不均导致刻蚀不良、显影不良、清洗不良等问题，从而有助于生产人员及时针对处理液分布不均的问题做出改善对策以提高生产良率。本发明的半导体晶圆处理装置结构简单，成本低廉且使用方便。采用本发明的半导体晶圆处理方法，能有效减少生产不良。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
