[发明专利]一种基有低通滤波处理的光控灯信号抗干扰式处理系统在审
申请号: | 201711092596.2 | 申请日: | 2017-11-08 |
公开(公告)号: | CN107734775A | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 余泓德 | 申请(专利权)人: | 成都塞普奇科技有限公司 |
主分类号: | H05B33/08 | 分类号: | H05B33/08;G08C23/04;H04B15/00 |
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地址: | 610000 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种基有低通滤波处理的光控灯信号抗干扰式处理系统,其特征在于,主要由处理芯片U,二极管D3,低通滤波电路,差分放大电路,信号偏置校正电路,分别与三极管VT1的发射极和处理芯片U相连接的信号发射调理电路,以及抗电磁波干扰电路等组成。本发明能将输入信号因外界干扰电波而产生的谐波消除或抑制;并且本发明还能对输出信号的带宽进行调整,使输出信号与输入的采集信号一致,从而确保了本发明对信号处理的准确性,有效的确保了光控LED控制系统对LED灯的开启与关闭控制的准确性。 | ||
搜索关键词: | 一种 基有低通 滤波 处理 光控 信号 抗干扰 系统 | ||
【主权项】:
一种基有低通滤波处理的光控灯信号抗干扰式处理系统,其特征在于,主要由处理芯片U,三极管VT1,串接处理芯片U的FDBK管脚与三极管VT1的集电极之间的信号偏置校正电路,N极与处理芯片U的FDBK管脚相连接、P极经电阻R6后与处理芯片U的COM管脚相连接的二极管D2,P极经电阻R7后与处理芯片U的VNEG管脚相连接、N极与三极管VT1的基极相连接的二极管D3,与处理芯片U的GNEG管脚相连接的低通滤波电路,串接在低通滤波电路与处理芯片U的VINP管脚之间的差分放大电路,分别与三极管VT1的发射极和处理芯片U相连接的信号发射调理电路,以及与信号发射调理电路相连接的抗电磁波干扰电路组成;所述三极管VT1的集电极与处理芯片U的FDBK管脚相连接;所述抗电磁波干扰电路由场效应管MOS101,场效应管MOS102,放大器P101,正极与场效应管MOS101的漏极相连接、负极接地的极性电容C101,P极与极性电容C101的负极相连接、N极经可调电阻R101后与放大器P101的负极相连接的二极管D101,一端与场效应管MOS101的栅极相连接、另一端与场效应管MOS102的漏极相连接的电感L101,正极经电阻R102后与二极管D101的N极相连接、负极与放大器P101的输出端相连接后接地的极性电容C102,N极与场效应管MOS102的源极相连接、N极经电阻R103后与场效应管MOS102的栅极相连接的二极管D102,一端与二极管D102的P极相连接、另一端与放大器P101的输出端相连接的电感L102,以及一端与场效应管MOS102的栅极相连接、另一端与放大器P101的输出端相连接的电感L103组成;所述场效应管MOS101的漏极与信号发射调理电路相连接,该场效应管MOS101的源极与外部电源相连接;所述场效应管MOS102的栅极还与放大器P101的正极相连接;所述放大器P101的输出端作为抗电磁波干扰电路的输出端。
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