[发明专利]背形负花状共轭式断层的物理模拟分析方法有效

专利信息
申请号: 201711096236.X 申请日: 2017-11-09
公开(公告)号: CN109767682B 公开(公告)日: 2021-04-30
发明(设计)人: 穆立华;高斌;杨国涛;张建坤;高文中;王方鲁;吴吉忠;吴海涛;孔祥生;侯立新 申请(专利权)人: 中国石油天然气股份有限公司
主分类号: G09B23/40 分类号: G09B23/40
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 周莉
地址: 100007 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种背形负花状共轭式断层的物理模拟分析方法,属于物理建模技术领域。该方法包括:获取背形负花状共轭式断层的基础参数,该基础参数包括该背形负花状共轭式断层的断层倾角或断层剖面夹角,以及该背形负花状共轭式断层的基底地垒顶面的理论宽度;基于该基础参数和多个预设过程参数构建该背形负花状共轭式断层的多个物理模拟模型;基于该多个物理模拟模型,确定该背形负花状共轭式断层的形成机理。本发明通过获取背形负花状共轭式断层的基础参数,进而基于该基础参数和每个预设过程参数构建每个预设过程参数对应的物理模拟模型,并对构建得到的多个物理模拟模型分别进行分析,以确定该背形负花状共轭式断层的形成机理。
搜索关键词: 背形负花状 共轭 断层 物理 模拟 分析 方法
【主权项】:
1.一种背形负花状共轭式断层的物理模拟分析方法,其特征在于,所述方法包括:获取背形负花状共轭式断层的基础参数,所述基础参数包括所述背形负花状共轭式断层的断层倾角或断层剖面夹角,以及所述背形负花状共轭式断层的基底地垒顶面的理论宽度;基于所述基础参数和多个预设过程参数构建所述背形负花状共轭式断层的多个物理模拟模型;基于所述多个物理模拟模型,确定所述背形负花状共轭式断层的形成机理。
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