[发明专利]一种Ag-Me共掺杂类石墨碳涂层及其制备方法在审
| 申请号： | 201711099067.5 | 申请日： | 2017-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN108060399A | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 蒋百铃;邵文婷;张新宇;马俊 | 申请（专利权）人： | 南京工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;C23C14/06;C23C14/02 |
| 代理公司： | 南京钟山专利代理有限公司 32252 | 代理人： | 李小静 |
| 地址： | 211816 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Ag‑Me共掺杂类石墨碳涂层及其制备方法，制备方法包括以下步骤：(1)将经前处理的基体置于装有C靶、Ag靶和一种非Ag金属靶的真空腔内进行等离子体清洗；(2)以非Ag金属靶为蒸发源，以氩气为工作气体，在真空条件下采用离子镀工艺在经步骤(1)处理后的基体上沉积一层非Ag金属缓冲层；(3)以C靶、Ag靶和一种非Ag金属靶为蒸发源，以氩气为工作气体，在真空条件下采用离子镀工艺在步骤(2)所得的非Ag金属缓冲层上沉积一层Ag‑Me共掺杂类石墨碳涂层，使类石墨碳涂层中的银颗粒与非Ag金属直接化合形成合金相。该方法可抑制类石墨碳涂层中银的自发逸出。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ag me 掺杂 石墨 涂层 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Ag-Me共掺杂类石墨碳涂层的制备方法，包括以下步骤：(1)将经前处理的基体置于装有C靶、Ag靶和非Ag金属靶的真空腔内进行等离子体清洗；(2)以非Ag金属靶为蒸发源，以氩气为工作气体，在真空条件下采用离子镀工艺在经步骤(1)处理后的基体上沉积一层非Ag金属缓冲层；(3)以C靶、Ag靶和非Ag金属靶为蒸发源，以氩气为工作气体，在真空条件下采用离子镀工艺在步骤(2)所得的非Ag金属缓冲层上沉积一层Ag-Me共掺杂类石墨碳涂层，使类石墨碳涂层中的银颗粒与非Ag金属直接化合形成合金相。
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