[发明专利]一种基于压电厚膜MEMS工艺的微能量采集器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201711100012.1 申请日: 2017-11-09
公开(公告)号: CN107808926B 公开(公告)日: 2020-06-12
发明(设计)人: 刘会聪;杨湛;陈涛;孙立宁 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: H01L41/113 分类号: H01L41/113;H01L41/25;H01L41/312;H02N2/18
代理公司: 苏州见山知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32421 代理人: 袁丽花
地址: 215000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及微能量采集技术领域,且公开了一种基于压电厚膜MEMS工艺的微能量采集器及其制备方法,所述微能量采集器包括上电极、下电极、硅固定基座、压电悬臂梁、质量块;所述压电悬臂梁的一端固定连接在所述硅固定基座的内侧壁上,并向与所述内侧壁相对的另一侧内侧壁延伸;所述压电悬臂梁的另一端固定连接悬空的所述质量块;所述上电极和所述下电极形成于硅固定基座上,且所述压电悬梁臂且所述上电极覆盖在所述压电悬梁臂上。本基于压电厚膜MEMS工艺的微能量采集器及其制备方法具备可以使压电厚膜的压电性能大大提升,也可以制备出压电厚膜,而且可制备器件结构更加的多样化和复杂化更高等优点。
搜索关键词: 一种 基于 压电 mems 工艺 能量 采集 及其 制备 方法
【主权项】:
一种基于压电厚膜MEMS工艺的微能量采集器,其特征在于:所述微能量采集器包括:上电极、下电极、硅固定基座、压电悬臂梁、质量块;其中,所述压电悬臂梁的一端固定连接在所述硅固定基座的内侧壁上,并向与所述内侧壁相对的另一侧内侧壁延伸;其中,所述压电悬臂梁的另一端固定连接悬空的所述质量块;其中,所述上电极和所述下电极形成于硅固定基座上,且所述上电极覆盖在所述压电悬梁臂上。
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