[发明专利]高精度带隙基准曲率补偿方法及高精度带隙基准电路在审
| 申请号： | 201711100948.4 | 申请日： | 2017-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN107704014A | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 马彪 | 申请（专利权）人： | 马彪 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高精度带隙基准曲率补偿方法及高精度带隙基准电路，其利用工作在亚阈值区的两个MOSFET(金属‑氧化物‑半导体场效应管)的栅源电压差△VGS补偿传统低压BJT(双极性晶体管)带隙基准的高次曲率。所述高精度带隙基准电路由MOSFET带隙基准结合低压BJT带隙基准构成。其中，MOSFET带隙基准采用MOSFET产生PTAT(与绝对温度成正比)电压；低压BJT带隙基准采用BJT产生PTAT电压。MOSFET带隙基准的输出具有正的二次温度系数；典型低压BJT带隙基准的输出具有负的二次温度系数。所述高精度带隙基准电路将上述两种类型的带隙基准输出加权相加，完全抵消了输出的二次温度系数，部分抵消了三次温度系数，实现了高次曲率补偿，使得输出的温度系数更小，实现了高精度的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 高精度 基准 曲率 补偿 方法 电路 | ||
【主权项】：
一种高精度带隙基准曲率补偿方法及高精度带隙基准电路，其特征在于，利用工作在亚阈值区的两个MOSFET的栅源电压差△VGS补偿传统低压BJT带隙基准的高次曲率，△VGS电压具有正的二次温度系数与正的三次温度系数，而典型低压BJT带隙基准的主要曲率是由BJT发射结电压VBE的负的二次温度系数与负的三次温度系数引起的，将△VGS乘以一定系数叠加到VBE上，完全抵消了典型低压BJT带隙基准的二次曲率，同时部分抵消三次曲率，达到高精度带隙基准曲率补偿的目的。
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