[发明专利]用于波导毫米波与太赫兹衰减器吸收体的成型方法有效
| 申请号： | 201711101456.7 | 申请日： | 2017-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN107887679B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 曹乾涛;赵海轮;董航荣 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 |
| 主分类号： | H01P11/00 | 分类号： | H01P11/00;H01P1/22;C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 11340 北京天奇智新知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈永宁 |
| 地址： | 266000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于波导毫米波与太赫兹衰减器吸收体的成型方法，步骤101：将一双面抛光且抛光度相同的介质基片加工成型吸收体介质基体和介质基片外框；步骤102：清洗成型吸收体介质基体和介质基片外框；步骤103：在成型吸收体介质基体正面沉积电阻薄膜；步骤104：将成型吸收体介质基体反面朝上嵌入介质基片外框中组成一临时组合体；步骤105：使用步骤103所述工艺在所述临时组合体上沉积电阻薄膜；步骤106：将所述临时组合体分离，完成吸收体制作。采用上述方案，适用性强，可用于Al | ||
| 搜索关键词： | 用于 波导 毫米波 赫兹 衰减器 吸收体 成型 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于波导毫米波与太赫兹衰减器吸收体的成型方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤101：将一双面抛光且抛光度相同的抛光度均≤1μin，材料为纯度99.6%以上的氧化铝陶瓷，平面尺寸为50.8mm×50.8mm，厚度为0.254mm的介质基片，使用一台紫外激光机在氧化铝陶瓷基片上进行4×2阵列的吸收体介质外形和通孔加工，得到8个成型吸收体介质基体和介质基片外框；/n步骤102：采用酸洗、去离子水超声波清洗和丙酮超声波清洗处理成型吸收体介质基体和介质基片外框，然后在120℃烘箱干燥30min；/n步骤103：使用溅射工艺在8个成型吸收体基体正面溅射一层TaN电阻薄膜，方阻为50Ω/□，在进行成型吸收体基体正面溅射时，其周围侧壁也恰好完成了电阻薄膜沉积制备，采用反应直流磁控溅射技术制备TaN薄膜，靶材采用纯度为99.99%Ta靶，溅射气体采用纯度为99.999%的Ar和N
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