[发明专利]一种高精度超薄THz薄膜电路制作方法有效
| 申请号： | 201711103799.7 | 申请日： | 2017-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN107871705B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 王进;许延峰;马子腾;孙毅;高冕;柏栓;汤柏林;阴磊 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L27/01 |
| 代理公司： | 37221 济南圣达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 董雪 |
| 地址： | 266555 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高精度超薄THz薄膜电路制作方法，提供一玻璃基板；在玻璃基板表面上淀积第一金属铜层；在该第一金属铜层上制作光刻胶掩膜和电镀第二金属铜层；去除光刻胶掩膜，在第一金属铜层和第二金属铜层表面淀积一层二氧化硅介质层；研磨整平第二金属铜层及二氧化硅介质层；采用薄膜加工工艺在二氧化硅介质层上制作超薄THz薄膜电路图形；去除第一金属铜层和第二金属铜层，使超薄THz薄膜电路与玻璃基板分离；清洗超薄THz薄膜电路。本发明提高了超薄THz薄膜电路加工尺寸精度，降低了超薄THz超薄薄膜电路加工难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高精度 超薄 thz 薄膜 电路 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种高精度超薄THz薄膜电路制作方法，其特征是，包括以下步骤：/n(1)提供一玻璃基板；/n(2)在所述玻璃基板表面上淀积第一金属铜层；/n(3)在该第一金属铜层上制作光刻胶掩膜和电镀第二金属铜层；/n(4)去除光刻胶掩膜，在第一金属铜层和第二金属铜层表面淀积一层二氧化硅介质层；/n(5)研磨整平第二金属铜层及二氧化硅介质层；/n(6)采用薄膜加工工艺在二氧化硅介质层上制作超薄THz薄膜电路图形；/n(7)去除第一金属铜层和第二金属铜层，使超薄THz薄膜电路与玻璃基板分离；/n(8)清洗超薄THz薄膜电路。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
