[发明专利]气体注入装置及包括其的基板处理装置在审
| 申请号： | 201711104240.6 | 申请日： | 2017-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN108070845A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 李钟喆;申宰哲;郑珉和;郑淑真;崔釿奎;李晶桓 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/458 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了朝基板注入工艺气体的气体注入装置以及包括该气体注入装置的基板处理装置。该气体注入装置包括：基部；在基部上的第一气体注入部，第一气体注入部用于注入包括反应抑制官能团的第一气体；在基部上在一个方向上与第一气体注入部间隔开的第二气体注入部，第二气体注入部用于注入包括特定材料的前驱体的第二气体；以及在基部上在所述一个方向上与第二气体注入部间隔开的第三气体注入部，第三气体注入部用于注入与特定材料的前驱体反应的第三气体。 | ||
| 搜索关键词： | 气体注入部 气体注入装置 基部 基板处理装置 前驱体 反应抑制 工艺气体 基板 | ||
【主权项】：
1.一种朝基板注入工艺气体的气体注入装置，所述气体注入装置包括：基部；在所述基部上的第一气体注入部，所述第一气体注入部用于注入包括反应抑制官能团的第一气体；在所述基部上在一个方向上与所述第一气体注入部间隔开的第二气体注入部，所述第二气体注入部用于注入包括特定材料的前驱体的第二气体；以及在所述基部上在所述一个方向与所述第二气体注入部间隔开的第三气体注入部，所述第三气体注入部用于注入与所述特定材料的所述前驱体反应的第三气体。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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