[发明专利]鳍式双极结型晶体管及其形成方法在审
| 申请号： | 201711104943.9 | 申请日： | 2017-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN109786246A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8234;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式双极结型晶体管及其形成方法，其中方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括中心区域和位于中心区域周围的边缘区域，所述中心区域包括第一中心区和第二中心区，第一中心区的部分边缘与所述边缘区域接触，第二中心区的部分边缘与所述边缘区域接触；在半导体衬底第一中心区的表面形成发射极鳍；在半导体衬底第二中心区的表面形成基极鳍；在半导体衬底边缘区域的表面形成集电极鳍。所述方法提高了鳍式双极结型晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 中心区 半导体 衬底 双极结型晶体管 边缘区域 表面形成 中心区域 鳍式 衬底边缘区域 发射极 集电极 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括中心区域和位于中心区域周围的边缘区域，所述中心区域包括第一中心区和第二中心区，第一中心区的部分边缘与所述边缘区域接触，第二中心区的部分边缘与所述边缘区域接触；在半导体衬底第一中心区的表面形成发射极鳍；在半导体衬底第二中心区的表面形成基极鳍；在半导体衬底边缘区域的表面形成集电极鳍。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
