[发明专利]带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法及薄膜电路有效
| 申请号： | 201711105174.4 | 申请日： | 2017-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN107863317B | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 许延峰;王进;马子腾 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L27/01 |
| 代理公司： | 37221 济南圣达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张勇 |
| 地址： | 266555 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法及薄膜电路。其中，带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法，包括步骤(1)：在带有超薄介质的第一衬底上，采用薄膜工艺制作电路图形以形成THz薄膜电路；步骤(2)：将THz薄膜电路正面粘接到第二衬底上，并去除第一衬底；步骤(3)：在去除第一衬底的THz薄膜电路背面，制作局部加强金属支撑层；步骤(4)：对THz薄膜电路进行划切分割操作，分离THz薄膜电路与第二衬底。其提高了超薄THz薄膜电路机械强度，满足了精密组装操作需求。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 局部 金属 支撑 超薄 thz 薄膜 电路 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法，其特征在于，包括：/n步骤(1)：在带有超薄介质的第一衬底上，采用薄膜工艺制作电路图形以形成THz薄膜电路；/n步骤(2)：将THz薄膜电路正面粘接到第二衬底上，并去除第一衬底；/n步骤(3)：在去除第一衬底的THz薄膜电路背面，制作局部加强金属支撑层；/n步骤(4)：对THz薄膜电路进行划切分割操作，分离THz薄膜电路与第二衬底。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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