[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201711105355.7 | 申请日： | 2017-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN108155288A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 飞冈孝明;海老原美香 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;G01R33/07 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;杨美灵 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种纵型霍尔元件，提高利用沿与衬底平行的方向流动的电流的灵敏度，且减小偏置电压，该纵型霍尔元件具备：第2导电型的半导体层，设置在第1导电型的半导体衬底上，浓度分布恒定；第2导电型的杂质扩散层，设置在半导体层上，浓度比半导体层高；多个电极，在杂质扩散层的表面在一条直线上设置，由浓度比杂质扩散层高的第2导电型的杂质区域构成；以及多个第1导电型的电极分离扩散层，在杂质扩散层的表面，分别设置在多个电极的各电极间，使多个电极分别分离。 | ||
| 搜索关键词： | 导电型 电极 杂质扩散层 半导体层 霍尔元件 浓度比 衬底 纵型 半导体 浓度分布恒定 半导体装置 电极分离 方向流动 偏置电压 杂质扩散 杂质区域 灵敏度 扩散层 减小 平行 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具有第1导电型的半导体衬底和设置在所述半导体衬底上的纵型霍尔元件，其特征在于，所述纵型霍尔元件具备：第2导电型的半导体层，设置在所述半导体衬底上，浓度分布恒定；第2导电型的杂质扩散层，设置在所述半导体层上，浓度比所述半导体层高；多个电极，在所述杂质扩散层的表面在一条直线上设置，由浓度比所述杂质扩散层高的第2导电型的杂质区域构成；以及多个第1导电型的电极分离扩散层，在所述杂质扩散层的表面，分别设置在所述多个电极的各电极间，使所述多个电极分别分离。
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