[发明专利]垂直结构薄膜晶体管的制造方法及垂直结构薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201711105478.0 | 申请日： | 2017-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN107910376B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 邓永 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/331 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种垂直结构薄膜晶体管的制造方法，包括：提供基板；在基板上分别形成第一绝缘层和第二金属层，并通过第一光罩图案化所述第一绝缘层、第二金属层以分别形成垫高绝缘层、源极；在源极和所述基板上形成氧化物半导体层，并通过第二光罩图案化所述氧化物半导体层形成有源层，并对所述氧化物半导体层部分区域掺杂氢离子形成位于有源层两侧的掺杂层；在所述有源层、掺杂层上依次形成第二绝缘层、第一金属层和第三绝缘层层，并通过第三光罩图案化所述第三绝缘层、第一金属层和第二绝缘层形成钝化保护层、栅极和栅极绝缘层。本发明实施例还公开了一种垂直结构薄膜晶体管。采用本发明，具有简化垂直结构薄膜晶体管的制程的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 结构 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直结构薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供基板；在基板上分别形成第一绝缘层和第二金属层，并通过第一光罩图案化所述第一绝缘层、第二金属层以分别形成垫高绝缘层、源极，其中，所述源极位于所述垫高绝缘层上；在源极和所述基板上形成氧化物半导体层，并通过第二光罩图案化所述氧化物半导体层形成有源层，并对所述氧化物半导体层部分区域掺杂氢离子形成位于有源层两侧的掺杂层，其中一侧的掺杂层位于源极上，另一侧的掺杂层至少部分形成漏极，并所述漏极位于所述源极的侧下方，所述氧化物半导体层还通过掺杂氢离子形成位于所述基板上的像素电极，所述像素电极与所述漏极电连接，所述像素电极与未位于所述源极上的掺杂层同层设置；在所述有源层、掺杂层上依次形成第二绝缘层、第一金属层和第三绝缘层，并通过第三光罩图案化所述第三绝缘层、第一金属层和第二绝缘层形成钝化保护层、栅极和栅极绝缘层。
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