[发明专利]富铟磷化铟多晶料的循环利用方法

摘要

本发明公开了一种富铟磷化铟多晶料的循环利用方法，包括第一步，对富铟InP多晶分选、切出富铟较轻和严重InP多晶；第二步，对富铟较轻InP多晶化学腐蚀、清洗及烘干；第三步，拉制InP多晶棒；第四步，第一电学检测，分拣出第一电学参数合格InP多晶和不合格InP多晶；将合格InP多晶进行第五步储存；第六步，将第一步富铟严重InP多晶和第四步的不合格InP多晶进行化学腐蚀、清洗以及烘干；第七步，水平合成；第八步，第二电学检测、分拣出第二电学参数合格和不合格InP多晶，合格InP多晶进行第五步，不合格的InP多晶积攒，积攒后循环以上操作。该方法有效循环利用富铟多晶料，得到高化学配比度、高纯InP多晶，避免了磷化铟单晶原料浪费，降低生产成本。

主权项

一种富铟磷化铟多晶料的循环利用方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，按富铟程度，对富铟InP多晶进行分选，切割出富铟较轻InP多晶和富铟严重InP多晶两部分；第二步，对富铟较轻InP多晶进行化学腐蚀、清洗以及烘干；第三步，将所述第二步处理后的富铟较轻InP多晶拉制InP多晶棒；第四步，对所述第三步得到的InP多晶棒进行第一电学检测，分拣出第一电学参数合格InP多晶和第一电学参数不合格InP多晶，第一电学参数合格InP多晶进行第五步，第一电学参数不合格InP多晶进行第六步；第五步，将合格InP多晶打包入库储存；第六步，将所述第一步切割出的富铟严重InP多晶和所述第四步得到的第一电学参数不合格InP多晶进行化学腐蚀、清洗以及烘干；第七步，将所述第六步得到的InP多晶作为水平合成的原料进行InP多晶的合成；第八步，对所述第七步合成的InP多晶进行第二电学检测、分拣出第二电学参数合格InP多晶和第二电学参数不合格InP多晶，第二电学参数合格InP多晶进行第五步，第二电学参数不合格的InP多晶进行积攒，积攒后循环第一步到第八步的操作。