[发明专利]一种制作SIGMA型锗硅的沟槽及器件的方法在审
| 申请号： | 201711107170.X | 申请日： | 2017-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN107887277A | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 李润领;李中华 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种非晶化离子注入制作SIGMA型锗硅沟槽及器件的方法，包括以下步骤S201，在硅衬底上形成有源层；S202，在有源层上形成晶硅栅极；S203，形成晶硅栅极侧墙；S204，形成锗硅硬掩化膜；S205，锗硅光刻；S206，锗硅干法刻蚀形成U型浅沟槽；S207，对U型浅沟槽在常温下进行非晶化离子注入，使所述浅沟槽底部形成非晶化层；S208，光刻胶干法剥离；S209，TMAH处理形成SIGMA型锗硅沟槽；S210，锗硅外延生长。本发明在保证SIGMA型锗硅中部尖端与栅极边缘垂直的情况下，栅极底部到SIGMA型锗硅中部尖端的深度的缩小，最大化锗硅对栅极沟道的压应力，提高了栅极沟道载流子迁移率，改善了PMOS器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 sigma 型锗硅 沟槽 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种非晶化离子注入制作SIGMA型锗硅沟槽的方法，其特征在于，包括以下步骤：S201，在硅衬底上形成有源层；S202，在有源层上形成晶硅栅极；S203，形成晶硅栅极侧墙；S204，形成锗硅硬掩化膜；S205，锗硅光刻；S206，锗硅干法刻蚀形成U型浅沟槽；S207，对U型浅沟槽在常温下进行非晶化离子注入，使所述浅沟槽底部形成非晶化层；S208，光刻胶干法剥离；S209，TMAH处理形成SIGMA型锗硅沟槽；S210，锗硅外延生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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