[发明专利]半导体转接板曝光方法以及曝光设备在审

专利信息
申请号: 201711111867.4 申请日: 2017-11-10
公开(公告)号: CN109782542A 公开(公告)日: 2019-05-21
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤
地址: 230601 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明提供了一种半导体转接板曝光方法以及曝光设备,涉及集成电路制造领域,其中,半导体转接板包括第一区域和第二区域;该半导体转接板曝光方法包括:将上述半导体转接板的第一区域置入曝光设备的曝光区;利用第一掩膜版对半导体转接板的第一区域进行曝光;对半导体转接板进行平移,将半导体转接板的第二区域置入曝光设备的曝光区;利用第二掩膜版对半导体转接板的第二区域进行曝光;其中第二区域的图案拼接第一区域的图案。该方法缓解了现有的曝光方法存在的不能满足用户对大尺寸硅插入器工艺的需求,用户体验度较差的技术问题,能够实现大尺寸半导体转接板的制作,且改善了用户体验度。
搜索关键词: 转接板 半导体 第二区域 第一区域 曝光设备 曝光 用户体验度 曝光区 掩膜版 置入 集成电路制造 尺寸半导体 图案拼接 平移 插入器 图案 缓解 制作
【主权项】:
1.一种半导体转接板曝光方法,其特征在于,半导体转接板包括第一区域和第二区域;所述方法包括:将所述半导体转接板的第一区域置入曝光设备的曝光区;利用第一掩膜版对所述半导体转接板的第一区域进行曝光;对所述半导体转接板进行平移,将所述半导体转接板的第二区域置入曝光设备的曝光区;利用第二掩膜版对所述半导体转接板的第二区域进行曝光,其中所述第二区域的图案拼接所述第一区域的图案。
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