[发明专利]用于FinFET器件的方法和结构有效
| 申请号： | 201711112249.1 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN108987344B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 蔡劲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/336;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了半导体器件及其形成方法。该方法包括接收半导体衬底和从半导体衬底延伸的鳍；形成共形地覆盖鳍的多个介电层，该多个介电层包括具有第一类型的净固定电荷的第一带电介电层和具有第二类型的净固定电荷的第二带电介电层，第二类型的电荷与第一类型的电荷相反，第一类型的电荷具有第一表层密度，并且第二类型的电荷具有第二表层密度，第一带电介电层插接在鳍和第二带电介电层之间；图案化多个介电层，从而暴露鳍的第一部分，其中，鳍的第二部分被第一带电介电层的至少部分围绕；并且形成接合鳍的第一部分的栅极结构。本发明实施例涉及用于FinFET器件的方法和结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 finfet 器件 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，包括：接收半导体衬底和从所述半导体衬底延伸的鳍；形成共形地覆盖所述鳍的多个介电层，所述多个介电层包括具有第一类型的净固定电荷的第一带电介电层和具有第二类型的净固定电荷的第二带电介电层，所述第二类型的电荷与所述第一类型的电荷相反，所述第一类型的电荷具有第一表层密度，并且所述第二类型的电荷具有第二表层密度，所述第一带电介电层插接在所述鳍和所述第二带电介电层之间；图案化所述多个介电层，从而暴露所述鳍的第一部分，其中，所述鳍的第二部分被所述第一带电介电层的至少部分围绕；以及形成与所述鳍的第一部分接合的栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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