[发明专利]一种半导体元件有效
| 申请号： | 201711112481.5 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN108091746B | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 陈功;刘传桂;陈亭玉;林素慧;洪灵愿;许圣贤;彭康伟;张家宏 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件，包括半导体叠层和电极，所述电极形成于所述半导体叠层上，所述电极表面上设有抗吸附材料层，其对气态污染物或颗粒状污染物的吸附能力低于所述电极对气态污染物或颗粒状污染物的吸附能力，用于抑制所述电极表面的污染物吸附。 | ||
| 搜索关键词： | 颗粒状污染物 半导体叠层 半导体元件 气态污染物 电极表面 吸附能力 电极 污染物吸附 吸附材料层 电极形成 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，包括：半导体叠层和电极，所述电极形成于所述半导体叠层上，其特征在于：所述电极表面上设有抗吸附材料层，其对气态污染物或颗粒状污染物的吸附能力低于所述电极对气态污染物或颗粒状污染物的吸附能力，用于抑制所述电极表面的污染物吸附。
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