[发明专利]包括支撑图案的半导体器件在审
| 申请号： | 201711113575.4 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN108155185A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 宋在勋;南基钦;李垣哲 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：在半导体衬底上的多个柱结构；以及支撑图案，其与柱结构的每个的至少一部分接触，支撑图案将柱结构彼此连接，其中支撑图案包括暴露柱结构的侧表面的支撑孔，支撑孔包括彼此间隔开的第二支撑孔和至少一个第一支撑孔，第一支撑孔和第二支撑孔具有彼此不同的形状。 | ||
| 搜索关键词： | 支撑孔 柱结构 图案 半导体器件 支撑 彼此连接 侧表面 衬底 半导体 暴露 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：在半导体衬底上的多个柱结构；以及支撑图案，其与所述多个柱结构的每个的至少一部分接触，所述支撑图案将所述多个柱结构彼此连接，其中所述支撑图案包括暴露所述多个柱结构的侧表面的支撑孔，所述支撑孔包括彼此间隔开的第二支撑孔和至少一个第一支撑孔，所述第一支撑孔和所述第二支撑孔具有彼此不同的形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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