[发明专利]一种单片微波集成电路中静电防护结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201711113846.6 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN107994015B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 魏鸿基;许燕丽;王江;朱庆芳 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/82 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;张迪 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种单片微波集成电路中静电防护结构，在晶体管的基区‑发射区、基区‑集电区之间分别并联设置有呈背对背结构设置的二极管组；每一个所述二极管组中包括两个二极管，两个二极管的阳极相互连接或者阴极相互连接形成背对背结构。本发明提供了一种单片微波集成电路中静电防护结构，有效降低静电防护结构在集成电路中所占用的面积大小。本发明还提供了上述静电防护结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单片 微波集成电路 静电 防护 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种单片微波集成电路中静电防护结构，其特征在于：在晶体管的基区‑发射区、基区‑集电区之间分别并联设置有呈背对背结构设置的二极管组；每一个所述二极管组中包括两个二极管，两个二极管的阳极相互连接或者阴极相互连接形成背对背结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
