[发明专利]半导体器件及其形成方法和半导体结构

摘要

一种半导体器件及其形成方法和半导体结构，半导体器件的形成方法包括：提供基底，包括具有沟槽的衬底、位于沟槽之间的衬底上的浮置栅层、以及位于浮置栅层上的硬掩膜层；在浮置栅层的侧壁上形成保护层；形成保护层后，在沟槽内形成隔离结构；形成隔离结构后，去除硬掩膜层。本发明在形成隔离结构之前，在浮置栅层的侧壁上形成保护层，所述保护层能够对所述浮置栅层的侧壁起到保护作用，以减小或避免去除所述硬掩膜层的工艺对所述浮置栅层侧壁的刻蚀损耗，从而避免出现所述浮置栅层的宽度过小或者宽度均一性较差的问题，进而有利于优化所形成快闪存储器的电学性能。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括具有沟槽的衬底、位于所述沟槽之间的衬底上的浮置栅层、以及位于所述浮置栅层上的硬掩膜层；在所述浮置栅层的侧壁上形成保护层；形成所述保护层后，在所述沟槽内形成隔离结构；形成所述隔离结构后，去除所述硬掩膜层。