[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。本发明提供一种能在不使工艺复杂化或增大芯片面积的情况下降低噪声影响的半导体器件。根据本发明的方面的半导体器件包括半导体衬底、漏区、漂移区、基区、源区、栅电极、层间绝缘膜、电耦合至漏区的导电层、布线线路以及电耦合至源区和布线线路的接触插塞。层间绝缘膜具有中间层间绝缘膜。中间层间绝缘膜设置在导电层和接触插塞之间。中间层间绝缘膜是形成导电层的材料的热氧化膜。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面和第二表面，所述第二表面是所述第一表面的相反表面；漏区，所述漏区设置在所述半导体衬底中并且具有第一导电类型；漂移区，所述漂移区在所述半导体衬底中设置在所述漏区的面向所述第一表面侧并且具有所述第一导电类型；基区，所述基区在所述半导体衬底中设置在所述漂移区的面向所述第一表面侧并且具有第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；源区，所述源区在所述半导体衬底中设置在所述基区的面向所述第一表面侧使得所述基区被夹在所述源区和所述漂移区之间，并且所述源区具有所述第一导电类型；栅电极，所述栅电极面向所述基区的被夹在所述源区和所述漂移区之间的部分，同时与所述基区的所述部分绝缘；层间绝缘膜，所述层间绝缘膜设置在所述第一表面上；导电层，所述导电层设置在所述层间绝缘膜中并且电耦合至所述漏区；布线线路，所述布线线路设置在所述层间绝缘膜上；以及接触插塞，所述接触插塞设置在所述层间绝缘膜中并且电耦合至所述布线线路和所述源区，其中所述层间绝缘膜具有设置在所述导电层和所述接触插塞之间的中间层间绝缘膜，其中所述导电层由当被氧化时变成绝缘体的导体形成，以及其中所述中间层间绝缘膜是形成所述导电层的材料的热氧化膜。