[发明专利]高压静电保护电路及其低压源极触发静电电流放电电路有效

专利信息
申请号: 201711115298.0 申请日: 2017-11-13
公开(公告)号: CN109787208B 公开(公告)日: 2020-05-08
发明(设计)人: 林欣逸;谢协缙 申请(专利权)人: 台湾类比科技股份有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;祁建国
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明涉及一种高压静电保护电路及其低压源极触发静电电流放电电路,该低压源极触发静电电流放电电路由多个低压基板隔离型晶体管串联而成,其串联后总击穿电压可适用于高压系统电源;各低压基板隔离型晶体管的源极与该高压静电保护电路的开关电路连接,而不与基板连接,以改善触发效率;各低压基板隔离型晶体管的漏极还与栅极的栅极绝缘层侧壁保持一定间隔,以提高静电放电耐压度;当静电发生时,该开关电路触发各低压基板隔离型晶体管导通,顺利排除静电电流。
搜索关键词: 高压 静电 保护 电路 及其 低压 触发 电流 放电
【主权项】:
1.一种具有低压源极触发静电电流放电电路的高压静电保护电路,其特征在于,包括:静电检测电路;低压源极触发静电电流放电电路,与该静电检测电路并联,且由多个低压基板隔离型晶体管串联而成;其中各该低压基板隔离型晶体管的源极不与基板连接,而该低压源极触发静电电流放电电路的击穿电压为该些低压基板隔离型晶体管的击穿电压的总和;其中各该低压基板隔离型晶体管在该基板上形成栅极、漏极掺杂区及源极掺杂区;其中该栅极包括栅极绝缘层侧壁,而该漏极掺杂区及该源极掺杂区分别位于该栅极两侧,且该漏极掺杂区距该栅极最近的一侧至该栅极的栅极绝缘层侧壁之间保持一定间隔;以及开关电路,包括多个半导体开关元件,分别连接于该静电检测电路及其对应低压基板隔离型晶体管之间,受该静电检测电路触发而触发其对应低压基板隔离型晶体管导通;其中各该半导体开关元件的源极连接至该基板。
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