[发明专利]一种真空监测系统及多晶硅炉管机台的真空监控方法

摘要

本发明公开一种真空监测系统，应用于半导体工艺机台，半导体工艺机台包括一密闭腔体，密闭腔体上设有排气管道；还包括，抽真空模块，与排气管道连接，用于对半导体工艺机台作抽真空处理；压力检测模块，于排气管管路上设置，用于检测半导体工艺机台内的压力是否在半导体制作工艺允许的范围内，并且进行漏率侦测；氧气分析模块，于排气管管路上设置，对半导体工艺机台内的气体成分进行分析，以判定半导体工艺机台内的氧气含量是否在半导体制作工艺允许的范围内。本发明的技术方案有益效果在于将氧气分析仪和真空压力计两者结合，综合判定多晶硅炉管机台内真空工艺环境是否符合工艺需求，进而有效保证了多晶硅炉管机台真空工艺的稳定性能。

主权项

一种真空监测系统，应用于半导体工艺机台，其特征在于，所述半导体工艺机台包括一密闭腔体，所述密闭腔体上设有排气管道；还包括，抽真空模块，与所述排气管道连接，用于对所述半导体工艺机台作抽真空处理；压力检测模块，于所述排气管道上设置，用于检测所述半导体工艺机台内的压力是否在半导体制作工艺允许的范围内，并且进行漏率侦测；氧气分析模块，于所述排气管道上设置，对所述半导体工艺机台内的气体成分进行分析，以判定所述半导体工艺机台内的氧气含量是否在半导体制作工艺允许的范围内。