[发明专利]用于间距倍增的集成电路制造有效
| 申请号： | 201711116157.0 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN107731665B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 张臻贤;武晨燕 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种集成电路间距倍增方法、用于集成电路制造的间距倍增掩膜及集成电路制造方法，其中的集成电路间距倍增方法，包括：形成多个占位部件于衬底上，每两个占位部件之间由一个占位沟槽隔开，所述占位部件包括牺牲层以及覆盖于牺牲层顶部的阻挡层；沉积用于形成间隔部件的间隔材料层；移除占位部件以及部分的间隔材料层，保留占位部件两侧壁的间隔材料层形成间隔部件。本发明可形成表面平整和垂直度高的间隔部件，且具有间距可控性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 间距 倍增 集成电路 制造 | ||
【主权项】：
一种集成电路间距倍增方法，其特征在于，包括：形成多个占位部件于衬底上，每两个所述占位部件之间由一个占位沟槽隔开，所述占位部件包括牺牲层以及覆盖于所述牺牲层顶部的阻挡层，所述阻挡层不直接接触所述衬底；沉积间隔材料层在所述占位部件的顶部和侧壁以及所述占位沟槽的底部；以及移除位于所述占位部件的顶部和所述占位沟槽的底部的所述间隔材料层，并移除所述占位部件以形成在所述衬底上的间隔部件，其中，所述间隔部件包括保留于所述占位部件两侧壁的所述间隔材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
