[发明专利]图像检测装置及其制造方法有效
申请号: | 201711116403.2 | 申请日: | 2017-11-13 |
公开(公告)号: | CN109326617B | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
发明(设计)人: | 张朝钦;李昇展;周正贤;黄琮伟;林明辉;林艺民 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 冯志云;王芝艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种图像检测装置的制造方法,包括提供具有前表面及背表面的一基底。上述方法包括去除基底的一第一部分,以形成一第一沟槽。上述方法包括形成一第一隔离结构于第一沟槽内,第一隔离结构具有上表面。上述方法包括去除第一隔离沟槽的一第二部分及基底的一第三部分,以形成穿过第一隔离结构并延伸于基底内的一第二沟槽。上述方法包括形成一第二隔离结构于第二沟槽内。上述方法包括形成一光检测区于基底内。上述方法包括去除基底的一第四部分,以露出第二隔离结构的一第一底部及光检测区的背侧。 | ||
搜索关键词: | 图像 检测 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种图像检测装置的制造方法,包括︰提供具有一前表面及一背表面的一基底;自该前表面去除基底的一第一部分,以于该基底内形成一第一沟槽;形成一第一隔离结构于该第一沟槽内,其中该第一隔离结构具有一上表面背向于该背表面;自该上表面去除该第一隔离沟槽的一第二部分及去除该基底的一第三部分,以形成穿过该第一隔离结构并延伸于该基底内的一第二沟槽;形成一第二隔离结构于该第二沟槽内;形成一光检测区于该基底内且邻近于该前表面,其中该第二隔离结构围绕该光检测区;以及自该背表面去除该基底的一第四部分,以露出该第二隔离结构的一第一底部及该光检测区的一背侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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