[发明专利]一种用于大型显示器LED芯片总成在审
申请号: | 201711117017.5 | 申请日: | 2017-11-13 |
公开(公告)号: | CN107731800A | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 刘功伟 | 申请(专利权)人: | 北海威德电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/64 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)11369 | 代理人: | 靳浩 |
地址: | 536000 广西壮族*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于大型显示器LED芯片总成,包括第一基板、第二基板、外延结构层、多层独立制备的铟锡金属氧化物膜,第一基板第一基板上有未分裂的多个外延结构层,第一基板与第二基板之间由粘合层固定,第二基板第二基板通过粘合层固定有多个第一基板,外延结构层垒晶在同一个第一基板上的多个外延结构层,每个第一基板上的各外延结构层之间暴露的侧边由绝缘层覆盖,多层独立制备的铟锡金属氧化物膜设置于P‑N外延结构上表面。提高了显示器中LED芯片的出光率。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 大型 显示器 led 芯片 总成 | ||
【主权项】:
一种用于大型显示器LED芯片总成,其特征在于,包括:第一基板、第二基板、P‑N外延结构、多层独立制备的铟锡金属氧化物膜;第一基板:第一基板上有未分裂的多个P‑N外延结构,第一基板与第二基板之间由粘合层固定;第二基板:第二基板通过粘合层固定有多个第一基板;P‑N外延结构:垒晶在同一个第一基板上的多个P‑N外延结构,每个第一基板上的各P‑N外延结构之间暴露的侧边由绝缘层覆盖;多层独立制备的铟锡金属氧化物膜:设置于P‑N外延结构上表面。
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