[发明专利]一种提高聚合物击穿强度和储能密度的方法在审
| 申请号： | 201711118609.9 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN107903441A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 陈枫;吴玲玉;吴凯;傅强 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C08K9/02 | 分类号： | C08K9/02;C08K3/38;C08L23/06;C08L33/12;C08L27/16;C09K5/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 刘文娟 |
| 地址： | 610065 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及储能材料的技术领域，具体涉及一种提高聚合物击穿强度和储能密度的方法。本发明提供一种提高聚合物击穿强度和储能密度的方法，所述方法为在聚合物中加入羟基化六方氮化硼，其中，聚合物与羟基化六方氮化硼的质量比为聚合物100重量份，羟基化六方氮化硼2～14重量份。本发明提供的BNNSs改性产物在聚合物中具有较好的分散效果，大大减弱了BNNSs在聚合物中团聚的趋势，对复合物电容器击穿强度和储能密度的提升非常有利。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 聚合物 击穿 强度 密度 方法 | ||
【主权项】：
提高聚合物击穿强度和储能密度的方法，其特征在于，所述方法为：在聚合物中加入羟基化六方氮化硼，其中，聚合物与羟基化六方氮化硼的质量比为：聚合物100重量份，羟基化六方氮化硼2～14重量份。
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